公司是国内少数几家具有IGBT量产能力的功率半导体企业，前次募投资金新建的六英寸生产线目前已可生产用于电磁炉的1200VIGBT产品。至2010年底该生产线产能为4万片/月，产能利用率约为60%，良品率高于行业平均水平。2011年公司计划扩大IGBT产能至6~8万片/月，并继续研发高压IGBT，产品形成系列化。

　　公司是国内最早上市的半导体功率器件生产企业，是国内分立器件生产的龙头企业，拥有完整的3/4/5/6晶圆生产厂和配套的封装线。公司的3/4英寸线用于生产BJT大功率晶体管，5英寸线主要是子公司吉林麦吉柯用来提供MOSFET代工服务，并用于FRD，可控硅和肖特基二极管等公司新开发的产品的生产，公司新建的6英寸线开出的产能主要用于生产VDMOS系列产品，另外公司寄予厚望的1200VIGBT的生产也放在6英寸线并小批量供货。

　　目前VDMOS线已过盈亏平衡点，开始贡献利润，月产能突破1万片，6英寸线的一期4万片产能已基本建成，二期建成后将具备5-6万片/月的产能，预计6英寸线的产能利用率将在二季度快速提升，FET产品将会成为公司新的利润增长点。

　　从进口替代到反向出口，海外市场是新增长点。公司作为有实力的半导体分立器件IDM企业，不应仅仅只追求规模，还应追求产品的盈利能力。2010年公司压缩了低毛利率产品的产量，产能优先保证市场需求旺盛，盈利能力较强的MOSFET产品和可控硅，肖特基二极管等新产品，公司的MOSFET营收占比也从3%大幅提升至9%。另外，公司在老产品芯片缩版挖潜和降低老产品生产成本方面也加大了力度。同时，公司海外市场开拓初显成效，去年台湾，印度市场都实现翻倍增长，公司出口的产品主要是机箱电源以及光源产品用分立器件。

　　公司上半年实现净利润4208.62万元，同比下降2.67%，每股收益0.06元。报告期内，公司实现营业总收入5.41亿元，同比下降5.63%。

　　综上,给予中性投资评级